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VD 产品采用大功率陶瓷3535封装技术+硅衬底UV LED芯片，主要供应UVA波段365-375nm/390-400nm。
3535陶瓷封装，易匹配市面现有PCB焊盘设计--通用性设计
UVA紫外线/紫光高辐射&高纯度输出
120°一次光学透镜出光设计
超高的性价比&极佳的可靠性
大功率陶瓷封装，高紫外线/紫光辐射能量
硅垂直芯片
尺寸：3.5x3.5mmx2.3mm
8KV静电保护
支持表面贴片技术（SMT）
电性参数：(T solder pad =25℃，IF=350mA) | ||||||
产品型号 | 峰值波长 (nm) | 总辐射能量 (mW) | 电压 (V) | 指向性 2θ1/2(degree) | 电流 (mA) | |
Typ. | Max. | |||||
VD-Y | 395 (390-400nm) | 400-700 | 3.3 | 3.8 | 120° | 350 |
370 (365-375nm) | 300-500 | 3.6 | 4 | 120° | 350 | |
VF 产品采用大功率陶瓷3535封装技术+硅基UVLED芯片，主要供应UVA波段365-375nm/410-425nm。
3535陶瓷封装，易匹配市面现有PCB焊盘设计--通用性设计
UVA紫外线/紫光高辐射&高纯度输出
120°一次光学透镜出光设计
超高的性价比&极佳的可靠性
大功率陶瓷封装，高紫外线/紫光辐射能量，硅垂直芯片
尺寸：3.5x3.5mmx2.3mm
8KV静电保护
支持表面贴片技术（SMT）
电性参数： (T solder pad =25 ℃，IF=500mA) | ||||||
产品型号 | 峰值波长 (nm) | 总辐射能量 (mW) | 电压(V) | 指向性 2θ1/2(degree) | 电流 (mA) | |
Typ. | Max. | |||||
VF-D | 415 (410-425nm) | 800-1000 | 3.2 | 3.6 | 120° | 500 |
VF-Y | 370 (365-375nm) | 500-800 | 3.6 | 4.0 | 120° | 500 |
VE 产品采用大功率陶瓷3535封装技术+硅基UV LED芯片，供应UVA全部主要波段诸如：365nm/385nm/395nm/405nm。
3535陶瓷封装，易匹配市面现有PCB焊盘设计--通用性设计
UVA紫外线/紫光高辐射&高纯度输出
120°类朗伯球出光设计---更适合二次配光结构设计
超高的性价比&极佳的可靠性
大功率陶瓷封装，高紫外线/紫光辐射能量，硅垂直芯片
尺寸：3.5x3.5mmx2.3mm
8KV静电保护
支持表面贴片技术（SMT）
电性参数： (T solder pad =25 ℃，IF=500mA) | ||||||
产品型号 | 峰值波长 (nm) | 总辐射能量 (mW) | 电压 (V) | 指向性 2θ1/2(degree) | 电流 (mA) | |
Typ. | Max. | |||||
VE-G | 405 (400-405nm) | 800-1100 | 3.45 | 3.8 | 120° | 500 |
395 (390-400nm) | 800-1100 | 3.45 | 3.8 | 120° | 500 | |
385 (380-390nm) | 800-1100 | 3.45 | 3.8 | 120° | 500 | |
370 (365-375nm) | 600-900 | 3.6 | 4 | 120° | 500 | |
VS 产品采用大功率陶瓷3535封装技术+硅基UV LED芯片，供应UVA全部主要波段诸如：365nm/385nm/395nm/405nm。
3535陶瓷封装，易匹配市面现有PCB焊盘设计--通用性设计
UVA紫外线/紫光高辐射&高纯度输出
55°小角度一次光学透镜出光设计---更高的中心辐射照度
超高的性价比&极佳的可靠性
大功率陶瓷封装，高紫外线/紫光辐射能量，硅垂直芯片
尺寸：3.5x3.5mmx3.1mm
8KV静电保护
支持表面贴片技术（SMT）
电性参数：(T solder pad =25 ℃，IF=500mA) | ||||||
产品型号 | 峰值波长 (nm) | 总辐射能量 (mW) | 电压 (V) | 指向性 2θ1/2(degree) | 电流 (mA) | |
Typ. | Max. | |||||
VS-G | 405 (400-405nm) | 800-1100 | 3.45 | 3.8 | 55° | 500 |
395 (390-400nm) | 800-1100 | 3.45 | 3.8 | 55° | 500 | |
385 (380-390nm) | 800-1100 | 3.45 | 3.8 | 55° | 500 | |
370 (365-375nm) | 600-900 | 3.6 | 4 | 55° | 500 | |
VG 产品采用玻璃透镜+大功率3D陶瓷封装技术+硅基UV LED芯片，主要供应UVA波段有：380-390nm & 390-400nm。
3838陶瓷封装（3535焊盘结构设计），易匹配市面现有PCB焊盘设计--通用性设计
UVA紫外线/紫光高辐射&高纯度输出
45°小角度一次光学出光设计---超高中心辐射照度
超高的性价比&极佳的可靠性
大功率3D陶瓷封装，玻璃透镜，硅垂直芯片
尺寸：3.85x3.85mmx3.1mm
8KV静电保护
支持表面贴片技术（SMT）
电性参数： (T solder pad =25 ℃，IF=1000mA) | ||||||
产品型号 | 峰值波长 (nm) | 总辐射能量 (mW) | 电压(V) | 指向性 2θ1/2(degree) | 电流 (mA) | |
Typ. | Max. | |||||
VG-G6F （玻璃透镜） | 395 (390-400nm) | 1800-2000 | 3.4 | 4.2 | 45° | 1000 |
385 (380-390nm) | 1800-2000 | 3.4 | 4.2 | 45° | 1000 | |
VN 产品采用玻璃透镜+大功率3D陶瓷封装技术+硅基UV LED芯片，主要供应UVA波段有：380-390nm & 390-400nm。
7070陶瓷封装，易匹配市面现有PCB焊盘设计--通用性设计
UVA紫外线/紫光高辐射&高纯度输出
68°小角度一次光学出光设计---超高中心辐射照度
超高的性价比&极佳的可靠性
大功率3D陶瓷封装, 玻璃透镜
高紫外线/紫光辐射能量，硅垂直芯片
尺寸：7.0x7.0mmx4.77mm
8KV静电保护
支持表面贴片技术（SMT）
电性参数：(T solder pad =25 ℃，IF=1500mA) | ||||||
产品型号 | 峰值波长 (nm) | 总辐射能量 (mW) | 电压 (V) | 指向性 2θ1/2(degree) | 电流 (mA) | |
Typ. | Max. | |||||
VN-G （玻璃透镜） | 395 (390-400nm) | 4000-5000 | 6.8 | 7.5 | 68° | 1500 |
385 (380-390nm) | 4000-5000 | 6.8 | 7.5 | 68° | 1500 | |
工业固化
EU产品采用中小功率EMC封装技术+硅基&蓝宝石UV LED芯片，主要供应UVA波段有：365-375nm 。
EMC3030封装，易匹配市面现有PCB焊盘设计--通用性设计
UVA紫外线/紫光高辐射&高纯度输出
90°一次光学出光设计
超高的性价比&极佳的可靠性
EMC封装，高紫外线/紫光辐射能量, 宽光谱，硅垂直芯片
尺寸：3.0mmx3.0mmx1.82mm
8KV静电保护
支持表面贴片技术（SMT）
电性参数 (T solder pad =25 ℃，IF=150mA) | ||||||
产品型号 | 峰值波长 (nm) | 总辐射能量 (mW) | 电压(V) | 指向性 2θ1/2(degree) | 电流 (mA) | |
Typ. | Max. | |||||
EU-A | 370 (365-375nm) | 100-300 | 3.4 | 4 | 90° | 150 |
EM产品采用中小功率EMC封装技术+硅基 & 蓝宝石UV LED芯片，主要供应UVA波段有：365-375nm + 395-405nm 混波波长（双波峰产品）。
EMC3030封装，易匹配市面现有PCB焊盘设计--通用性设计
UVA紫外线/紫光高辐射&高纯度输出
90-100°一次光学出光设计
超高的性价比&极佳的可靠性
EMC封装，高紫外线/紫光辐射能量, 宽光谱
硅垂直芯片+17*19mil 蓝宝石芯片
尺寸：3.0mmx3.0mmx1.82mm
支持表面贴片技术（SMT）
电性参数：(T solder pad =25 ℃，IF=90mA) | ||||||
产品型号 | 峰值波长 (nm) | 总辐射能量 (mW) | 电压 (V) | 指向性 2θ1/2(degree) | 电流 (mA) | |
Typ. | Max. | |||||
EM30-NA | 365-405 (多峰值混波) | 100-300 | 6.8 | 7.5 | 90-100° | 90 |
LP-UVM6025150A1采用垂直结构硅衬底大功率紫外LED芯片，基板线路设计灵活，在小的发光区内可实现高密度的紫外光输出，焊线具有高可靠性，产品的尺寸功率可根据客户要求定制。
采用陶瓷基板，导热性能好
垂直结构紫外芯片发光，能量密度集中
独特的芯片焊线设计 ，高可靠性
光电参数： (T solder pad =25 ℃) | ||||
光区面积 (mm) | 峰值波长 (nm) | 辐射强度 (W/cm2) | 正向电压 (V) | 功率 (W) |
Typ.@1800mA*3 | ||||
27.6*25 | 390~395 | ≥15 | 28 | 150 |
工业固化
UV曝光
印刷
平板打印
LP-UVM5535180A1采用垂直结构硅衬底大功率紫外LED芯片，基板线路设计灵活，在小的发光区内可实现高密度的紫外光输出，焊线具有高可靠性，产品的尺寸功率可根据客户要求定制。
采用陶瓷基板，导热性能好
垂直结构紫外芯片发光，能量密度集中
独特的芯片焊线设计，高可靠性
光电参数： (T solder pad =25 ℃) | ||||
光区面积 (mm) | 峰值波长 (nm) | 辐射强度 (W/cm2) | 正向电压 (V) | 功率 (W) |
Typ.@1500mA | ||||
33.96*28.3 | 390~395 | ≥15 | 140 | 180 |
工业固化
UV曝光
印刷
平板打印
